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Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE

簡(jiǎn)要描述:Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE
FilmTek™ 6000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE先進(jìn)的多模薄膜計(jì)量系統(tǒng)在1x nm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)和更高的位置為廣泛的薄膜層提供生產(chǎn)驗(yàn)證的薄膜厚度、折射率和應(yīng)力測(cè)量監(jiān)測(cè)。該系統(tǒng)能夠在新一代集成電路的生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的過(guò)程控制,提高器件產(chǎn)量,并支持下一代節(jié)點(diǎn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

  • 所在城市:上海市
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新日期:2024-12-02
  • 訪  問(wèn)  量:3024
詳細(xì)介紹
品牌Bruker/布魯克產(chǎn)地類別進(jìn)口
膜厚測(cè)量準(zhǔn)確度±1.0至NIST可追溯標(biāo)準(zhǔn)氧化物100至兩個(gè)1µmnm單次測(cè)量時(shí)間2s
測(cè)量速度2min光斑尺寸50 µmmm
光譜范圍190 nm - 1700 nmnm應(yīng)用領(lǐng)域石油,電子/電池,綜合
光源調(diào)節(jié)氘鹵素?zé)?/td>

Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE

——用于IC器件開(kāi)發(fā)和制造的先進(jìn)多模薄膜計(jì)量學(xué)

Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE


FilmTek™ 6000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE先進(jìn)的多模薄膜計(jì)量系統(tǒng)在1x nm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)和更高的位置為廣泛的薄膜層提供生產(chǎn)驗(yàn)證的薄膜厚度、折射率和應(yīng)力測(cè)量監(jiān)測(cè)。該系統(tǒng)能夠在新一代集成電路的生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的過(guò)程控制,提高器件產(chǎn)量,并支持下一代節(jié)點(diǎn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。


制造1x nm的先進(jìn)IC器件需要使用高度均勻的復(fù)合膜。能夠監(jiān)測(cè)非常薄的薄膜的計(jì)量工具,通常在多層膜堆疊中(例如,高k和氧化物-氮化物-氧化物膜),使制造商能夠保持對(duì)膜構(gòu)建過(guò)程的嚴(yán)格控制。此外,一些工藝,如多重圖案化,會(huì)導(dǎo)致薄膜厚度的梯度,必須對(duì)其進(jìn)行監(jiān)控,以獲得佳器件性能(例如,注入損傷和低k薄膜)。不幸的是,現(xiàn)有的計(jì)量工具依賴于傳統(tǒng)的橢偏測(cè)量或反射測(cè)量技術(shù),其檢測(cè)這些應(yīng)用的薄膜梯度變化的能力有限。


為了克服這些挑戰(zhàn),F(xiàn)ilmTek 6000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE將光譜橢圓偏振儀和DUV多角度極化反射儀與寬光譜范圍相結(jié)合,以滿足與多圖案和其他前沿器件制造技術(shù)相關(guān)的需求。該系統(tǒng)采用我們多角度差分偏振(MADP)和差分功率譜密度(DPSD)技術(shù),可獨(dú)立測(cè)量薄膜厚度和折射率,顯著提高其對(duì)薄膜變化的靈敏度,尤其是多層堆疊中的變化。這種組合方法對(duì)于用于復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)的超薄和厚膜疊層都是理想的。


Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE

技術(shù)規(guī)格


膜厚范圍0 ? to 150 µm
膜厚精度±1.0至NIST可追溯標(biāo)準(zhǔn)氧化物100至兩個(gè)1µm
光譜范圍190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的測(cè)量50 µm
樣本量2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光譜分辨率0.3 nm - 2nm
光源調(diào)節(jié)氘鹵素?zé)簦▔勖?000小時(shí))
探測(cè)器類型2048像素索尼線陣CCD/512像素冷卻濱松InGaAs CCD陣列(NIR)
電腦帶Windows的多核處理器™ 10操作系統(tǒng)
測(cè)量時(shí)間每個(gè)場(chǎng)地約2秒(如氧化膜)

性能規(guī)格


Film(s)  測(cè)量參數(shù)精確 ()
氧化物/硅0 - 1000 ?t0.03 ?
1000 - 500,000 ?         t0.005%
1000 ?t , n0.2 ? / 0.0001
15,000 ?t , n0.5 ? / 0.0001
150.000 ?t , n1.5 ? / 0.00001
氮化物/硅200 - 10,000 ?t0.02%
500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0005
光致抗蝕劑/硅200 - 10,000 ?t0.02%
500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0002
多晶硅 / 氧化物/硅200 - 10,000 ?t Poly , t Oxide        0.2 ? / 0.1 ?
500 - 10,000 ?t Poly , t Oxide0.2 ? / 0.0005



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